8 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (síncrona DRAM)- 1Rx16- módulo de memoria- basado en cuatro 1G x 16 bits. Componentes FBGA. El SPD está programado para JEDEC latencia estándar DDR4-2666 sincronización de 19 a 1-2 V.
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Fuente de alimentación: VDD = 1-2 V típico
VDDQ = 1-2 V típico
VPP = 2-5 V típico
VDDSPD = 2-2 V a 3-6 V
Terminación nominal y dinámica en matriz (ODT) para señales de datos- luz estroboscópica y máscara
Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
Generación y calibración de VREFDQ en la matriz
De rango único
EEPROM de detección de presencia (SPD) en serie I2 incorporada
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
Topología fly-by
Bus de dirección y comando de control terminado
PCB: Altura 1-18 "(30-00 mm)
Cumple con RoHS y sin halógenos
