Factor de forma: M.2 2280
Interfaz: PCI-Express 3.0 x4- NVMe 1.3
Capacidad total: 512 GB
Garantía: limitada de 5 años o 800 TBW
Velocidad de lectura secuencial: hasta 1700 MB/s
Velocidad de escritura secuencial: hasta 1550 MB/s
Compatible con HMB (búfer de memoria del host)
Compatibilidad con TRIM & SMART
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Interfaz
PCI-Express 3.0 x4- NVMe 1.3
Factor de forma
M.2 2280
Capacidad total
512 GB
Garantía
Limitado de 5 años o 800 TBW
NAND
Flash NAND
Caché DDR externo
N / A
Velocidad de lectura secuencial
Hasta 1700 MB/s
Velocidad de escritura secuencial
Hasta 1550 MB/s
IOPS de lectura aleatoria
Hasta 270k
IOPS de escritura aleatoria
Hasta 340k
Dimensión
80x22x2-3mm
Tiempo medio entre fallas (MTBF)
1-5 millones de horas
Consumo de energía (activo)
Promedio leer: 3.3W; Escritura: 2.8W
Consumo de energía (inactivo)
1-8 mw
Temperatura (en funcionamiento)
0°C a 70°C
Temperatura (almacenamiento)
-40°C a 85°C