actor de forma: M.2 2280
Interfaz: PCI-Express 3.0 x4- NVMe 1.3
Capacidad total: 1 TB
Velocidad de lectura secuencial: hasta 3500 MB / s
Velocidad de escritura secuencial: hasta 3000 MB / s
Admite corrección de errores LDPC avanzada
Compatible con TRIM & SMART
Caché DDR3L de 2 Gb externa
Solución térmica de eficiencia mediante el uso de PCB de cobre de 2 oz
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nterfaz PCIe 3.0x4- NVMe 1.3
Factor de forma M.2 2280
Capacidad total 1 TB
Garantía Limitado a 5 años o 650TBW
NAND Flash 3D TLC NAND
Caché DDR externo DDR3L 2 Gb
Velocidad de lectura secuencial Hasta 3500 MB / s
Velocidad de escritura secuencial Hasta 3000 MB / s
IOPS de lectura aleatoria hasta 308K
IOPS de escritura aleatoria hasta 332K
Dimensión 22 x 2-3 x 80 mm
Tiempo medio entre fallos (MTBF) 2 millones de horas
Consumo de energía (activo) Promedio: R: 5.9W- W: 5W
Consumo de energía (inactivo) L0 / L0s / L1: 900 mw L1.2
Temperatura (en funcionamiento) 0 ° C hasta 70 ° C
Temperatura (almacenamiento) -40 ° C hasta 85 ° C
